型号:IDT70V7319S133BFI | 类别:存储器 | 制造商:IDT, Integrated Device Technology Inc |
封装:208-LFBGA | 描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA |
详细参数
类别 | 存储器 |
---|---|
描述 | IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA |
系列 | - |
制造商 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
格式_存储器 | RAM |
存储器类型 | SRAM - 双端口,同步 |
存储容量 | 4.5M(256K x 18) |
速度 | 133MHz |
接口 | 并联 |
电压_电源 | 3.15 V ~ 3.45 V |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
封装/外壳 | 208-LFBGA |
供应商器件封装 | 208-CABGA(15x15) |
包装 | 托盘 |
供应商
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深圳市中新永盛科技有限公司 | 朱先生0755-83211840 |
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- GRM329F51E475ZA01D
陶瓷
Murata Electronics North America
1210(3225 公制)
CAP CER 4.7UF 25V Y5V 1210
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固定式
Vishay Dale
1812(4532 公制)
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1210(3225 公制)
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1812(4532 公制)
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1210(3225 公制)
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3AB,3AG,1/4" x 1-1/4"
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Vishay Dale
1812(4532 公制)
INDUCTOR WW 10UH 5% 1812
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Freescale Semiconductor
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INDUCTOR WW 1.0UH 5% 1812
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CONN EDGECARD 12POS R/A .125 SLD
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